
 |
FLASH память преимущества быстрых решений |

|
11 февраля этого года, в Женеве, компанией STMicroelectronics была анонсирована микросхема Flash – памяти M58LW032A (объемом 32 Мбита), являющейся младшей моделью в новом семействе сверхбыстрых Flash – микросхем. (Статья в журнале Радиорынок N 2, 2002)

Подробнее...
|



|

|
Полевые транзисторы Р-канальные
| Тип |
Uис, В |
Rис, Ом при 10В |
Iи пост, А |
Тзар затв при 10В |
Корпус |
| STD10PF06 |
-60 |
0,2 |
10 |
16 |
DPAK |
| STP12PF06 |
-60 |
0,2 |
-12 |
|
TO-220 |
| STT2PF60L |
-60 |
0,27 |
-2 |
|
SOT23-6L |
| STB80PF55 |
-55 |
0,02 |
-80 |
180 |
DІPAK |
| STP80PF55 |
-55 |
0,02 |
-80 |
180 |
TO-220 |
| STS3DPFS45 |
-45 |
0,1 |
-3 |
23 |
SO-8 |
| STS6PF30L |
-30 |
0,04 |
-6 |
|
SO-8 |
| STS5PF30L |
-30 |
0,06 |
-5 |
12,5 |
SO-8 |
| STS4DPF30L |
-30 |
0,08 |
-4 |
|
SO-8 |
| STS3DPFS30 |
-30 |
0,09 |
-3 |
23 |
SO-8 |
| STS3DPF30L |
-30 |
0,16 |
-3 |
5,5 |
SO-8 |
| STS3DPFS30L |
-30 |
0,16 |
-3 |
5,5 |
SO-8 |
| STT3PF30L |
-30 |
0,165 |
-3 |
5,5 |
SOT23-6L |
| STS4DPFS20L |
-20 |
0,06 |
-4 |
|
SO-8 |
| STS4DPFS2LS |
-20 |
0,06 |
-4 |
|
SO-8 |
| STS4DPF20L |
-20 |
0,06 |
-4 |
|
SO-8 |
| STS2DPFS20V |
-20 |
|
-2 |
|
SO-8 |
| STT3PF20LV |
-20 |
|
-3 |
|
SOT23-6L |
| Читайте также |
 |
Биполярные транзисторы на напряжения < 150 В Биполярные транзисторы на напряжения > 150 В Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Малосигнальные биполярные транзисторы Полевые транзисторы высоковольтные (700-1000В) Полевые транзисторы на средние напряжения (200-600В) Полевые транзисторы на низкие напряжения (до 200В) (Часть I) Полевые транзисторы на низкие напряжения (до 200В) (Часть II) Полевые транзисторы со встроенной защитой (OMNIFET) Тринисторы (SCR) и динисторы (DIAC) Симисторы (Triac) Мощные диоды Шотки Сигнальные диоды Шотки Быстродействующие переключающие диоды Шотки Сверхбыстрые диоды Шотки Диоды для отклоняющих систем

|

|