Поставки > STMicroelectronics > Дискретные компоненты

Дискретные компоненты

Биполярные транзисторы на напряжения < 150 В. Подробнее...

Биполярные транзисторы на напряжения > 150 В. Подробнее...

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Подробнее...

Малосигнальные биполярные транзисторы. Подробнее...

Полевые транзисторы высоковольтные (700-1000В). Подробнее...

Полевые транзисторы на средние напряжения (200-600В). Подробнее...

Полевые транзисторы на низкие напряжения (до 200В) (Часть I). Подробнее...

Полевые транзисторы на низкие напряжения (до 200В) (Часть II). Подробнее...

Полевые транзисторы со встроенной защитой (OMNIFET). Подробнее...

Полевые транзисторы Р-канальные. Подробнее...

Тринисторы (SCR) и динисторы (DIAC). Подробнее...

Симисторы (Triac). Подробнее...

Мощные диоды Шотки. Подробнее...

Сигнальные диоды Шотки. Подробнее...

Быстродействующие переключающие диоды Шотки. Подробнее...

Сверхбыстрые диоды Шотки. Подробнее...

Диоды для отклоняющих систем. Подробнее...